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美國地質調查所(USGS)回報，東非國家坦尚尼亞西北部今天(10日)發生規模5.7地震，震央距離布科巴(Bukoba)44公里、靠近維多利亞湖(Lake Victoria)西岸。
地質調查所報告補充，這場地震震源深度10公里，發生在格林威治時間12時27分(台灣時間20時27分)。
下面附上一則新聞讓大家了解時事
工商時報【涂志豪╱台北CP值爆表報導】
集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示，DRAM價格延續上個月的漲勢，主流的4GB DDR3/DDR4模組合約價持續調漲，高價區來到14美元，漲幅約3.7％，第四季仍有上漲空間。由於三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠持續調整產品組合，標準型DRAM價格持續調漲，伺服器及利基型DRAM價格同步走高，對南亞科（2408）、華邦電（2344）等DRAM廠而言，第三季營收及獲利均將優於第二季。
受惠於蘋果iPhone 7 Plus搭載DRAM容量由2GB提升到3GB，加上Android陣營的中高階智慧型手機搭載容量已拉高到3～4GB，三大DRAM廠陸續將主要產能移轉生產Mobile DRAM。因此，標準型DRAM現貨價格在6月下旬開始走高，合約價順利出現止跌，7月以來DRAM現貨價及合約價同步上漲，8月則再順利調漲。
根據DRAMeXchange統計，4GB DDR3/DDR4模組的8月合約價高點已衝上14美元，漲幅約3.7％，合約平均價格達13.5％，較上月調漲約2.0％。部分PC OEM廠仍維持先前季超值推度議定的價格，在低價部份持平為13美元，但均價與高價部份受惠於部分買方的新增需求（upside demand）使漲勢得以維持。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，隨著蘋果新一代iPhone將於今年9月7日正式發表，目前整體供應鏈都進入關鍵備貨期，加上中國智慧型手機需求未見頹勢，記憶體產品包含DRAM與NAND Flash都呈現供貨吃緊。
此外，近期伺服器需求也同時增溫。吳雅婷指出，8月伺服器用記憶體合約價開始反轉，甚至逆勢上漲1～3％，結束上半年季跌幅都超過10％的走勢。D2016RAM原廠大幅將產能轉向行動式Mobile DRAM與伺服器DRAM，造成標準型DRAM供給吃緊，使得部分客戶第三季追加訂單時必須用更高的價格購買，而先前未用季度價格鎖定（lock-in）的客戶，更必須用14美元來追貨。
DRAMeXchange預估，8月整體DRAM價格將續漲，第四季還有一波更高的漲幅。而業界人士推算，第三季DRAM合約價將較第二季調漲5％左右，但因模組現貨價已明顯拉高，4GB DDR3/DDR4現貨價已衝上16～17美元，第四季合約價續漲機會高，高點可望上看15美元以上，平均價格也將站穩14美元，季度平均漲幅有機會再上看5％。
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